История:
F5-75R06KE3_B5
FD250R65KE3-K
FF225R17ME4PBPSA1
2SB1202S-TL-E
IGB50N60TATMA1
VS-ETF150Y65U
APTGT50DDA120T3G
YAT-20A
APTGT100H60TG
PZT4401,115
PLT58/38/4-3F4
BCR8FM-14LJ
AC0201FR-0749R9L
STGW15H120F2
FGH40T65SPD-F155
AC0201FR-0717R4L
MLI080505-150-10
MKP1V130RLG
IGW100N60H3
AC0201FR-078K06L
AC0201FR-0715KL
RN2903,LF(CT
AC0201JR-071KL
MG1250S-BA1MM
BTA12-700CWRG
IKB20N65EH5ATMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKB20N65EH5ATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
38 A
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKB20N65EH5ATMA1 в каталоге Components.by