История:
FBRI2-4-02P
VS-ST223C08CFN1
IKB30N65EH5ATMA1
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKB30N65EH5ATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
55 A
Power Dispation
188 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKB30N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

