Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: PLT18/10/2-3C97 ZV14K2220122NIR1HT AC0603FR-071ML IGW50N60H3 AC0201JR-073R3L IGW40N60H3 IGW50N65H5 BTB06-600CWRG Q6010LH5 IGW40N65H5 NGTB50N60SWG ZXTP03200BGTA LSP05GI240SX3333 A1P35S12M3-F Q8010N5RP Q6006N5RP Z0109MA0,412 Q6008N4RP APTGLQ25H120T2G RGTV60TS65DGC11 101KD07-FTB RGCL80TK60DGC11 RGCL60TK60GC11 Q6012LH5TP AC0603FR-0723K7L Q6010L555TP Q6012LH2 RGCL80TK60GC11 AC0603FR-0723K2L Q6006DH4RP Q6010LH5TP Q6010L5 L0103DE Q6006DH3RP ACTT12B-800CJ Q6016LH6TP

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

IKB40N65EH5ATMA1

IKB40N65EH5ATMA1

IKB40N65EH5ATMA1

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

IKB40N65EH5ATMA1

Описание: IKB40N65EH5ATMA1

Характеристики

Manufacturer Infineon

Collector-Emitter Voltage 650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 74 A

Power Dispation 250 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-IKB40N65EH5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор IKB40N65EH5ATMA1 в каталоге Components.by