Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IKD04N60RAATMA1

IKD04N60RAATMA1

IKD04N60RAATMA1
IKD04N60RAATMA1
Артикул:
Описание: IKD04N60RAATMA1
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 8 A
Power Dispation 75 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKD04N60RAATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 8 A
Power Dispation 75 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKD04N60RAATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором