История:
Q6016LH1LEDTP
QJ6016RH6TP
0LCC5
LM211D
0LCC7
TS334IPT
IKD06N60RA
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKD06N60RA
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
12 A
Power Dispation
100 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RA: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKD06N60RA в каталоге Components.by