История:
Q6016RH4TP
Q6016RH3TP
LSP05G240P
QK016NH6TP
ZXTP25020DFHTA
Q8016RH4
ZXTP19020CFFTA
ACTT8-800C0Q
112KM14
QJ6004D3RP
121KD40
ZXTP19100CFFTA
920001
RGTH80TS65GC11
112KM25
Q8006NH4TP
APT15GT60BRDQ1G
RGTH80TS65DGC11
112KM20
RGPR30NS40HRTL
195607
2N4401TFR
QJ8025LH4TP
QJ8040JH6TP
QJ6025LH6TP
VCUG120150H1TP
VC32M00301K--
TP1.5-DP
STGFW40V60DF
TS372CDT
IKD06N60RATMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKD06N60RATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
12 A
Power Dispation
100 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKD06N60RATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKD06N60RATMA1 в каталоге Components.by