История:
VG222038Y770DP
IXYH40N90C3
BCR08AM-12A
L6008V8TP
112KH14
151KE25
Q4008LT
ACTT12B-800CTJ
L6006V8TP
Q4004V4TP
Z21D680
Q401E4
L4004L5
L6004V8TP
L6006L8TP
VG121038S770DP
Q4010L4
096106
ACTT12-800CTQ
ACTT6B-800CNJ
ACTT8B-800CTNJ
142KS34
SB8.2-2
241601
VC120626D580DP
057969
BU7253SF-E2
Q6012NH2RP
TS3704CDT
TPP2.5-PR
0LCC6
048809
IKD15N60RATMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKD15N60RATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
250 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKD15N60RATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKD15N60RATMA1 в каталоге Components.by