История:
PM74/59-3C90
IXGH48N60A3D1
Q6016NH3RP
ZXTN4006ZTA
181KH05-FTB
ZXTC2063E6TA
IKP20N65F5
IRGS4B60KD1TRRP
IKP20N60T
LJ4006V8TP
ZXTN19020DFFTA
ZXTN25100DZTA
MLI080505-3R3-10
IKP30N65F5
DTC114YM3T5G
FGL35N120FTDTU
STGIF10CH60TS-L
LJ4008D8RP
5M80ZT100C4N
ZXTN19020CFFTA
NGD8201ANT4G
MAC4DSN-1G
Q4008N4RP
IRG4PF50WPBF
OT407,126
IKW20N60TFKSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKW20N60TFKSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
41 A
Power Dispation
166 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW20N60TFKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKW20N60TFKSA1 в каталоге Components.by