История:
A3406UC6LRP
PLT14/5/1.5-3C95
STGW30NC120HD
FGH40T65SQD-F155
RC0805FR-13510RL
RV1206FR-071M8L
AC0603FR-13470RL
AC0603FR-073K48L
101KH20J-O
V22ZA3PX1347
SMUN5111DW1T1G
SMUN5113DW1T1G
151KH20J-OP7.5
BTA316-800CTQ
201KH14J-TR
IKW40N65H5AXKSA1
181KH20J-FP7.5
SMUN5115DW1T1G
SMUN5116DW1T1G
201KH20J-P7.5
IKW25N120H3XK
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKW25N120H3XK
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Power Dispation
326 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW25N120H3XK: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKW25N120H3XK в каталоге Components.by