История:
MAA150-1K15SGP
IKW50N65WR5XKSA1
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKW50N65WR5XKSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
282 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW50N65WR5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

