История:
MLS0805-4S4-170
IKW75N65EH5XKSA1
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKW75N65EH5XKSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
90 A
Power Dispation
395 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKW75N65EH5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

