История:
2EDGVM-5.0-02P
MURT30020R
0698Q5000-05
M50100SB1200
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IKY40N120CH3XKSA1
IKY40N120CH3XKSA1
IKY40N120CH3XKSA1
Артикул:
Описание:
IKY40N120CH3XKSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
500 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKY40N120CH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
500 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKY40N120CH3XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

