Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

IKZ50N65ES5XKSA1

IKZ50N65ES5XKSA1

IKZ50N65ES5XKSA1

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

IKZ50N65ES5XKSA1

Описание: IKZ50N65ES5XKSA1

Характеристики

Manufacturer Infineon

Collector-Emitter Voltage 650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.35 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 80 A

Power Dispation 274 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-IKZ50N65ES5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор IKZ50N65ES5XKSA1 в каталоге Components.by