История:
MG12200D-BA1MM
DD180N16SHPSA1
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
IRG4BC20KDSTRRP
IRG4BC20KDSTRRP
IRG4BC20KDSTRRP
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
16 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC20KDSTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
16 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC20KDSTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

