История:
3514
3515
3512
IRG4PC30UPBF
3520
3510
3519
3529
3500
3534
V660LS80CP
V660LU80CP
V625LS40AP
V660LU10P
IRG4PSH71KDPBF
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IRG4PSH71KDPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.97 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
78 A
Power Dispation
350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSH71KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IRG4PSH71KDPBF в каталоге Components.by

