История:
MC-RJ3.5H23P-K-0001
IRG4PSH71KDPBF
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IRG4PSH71KDPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.97 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
78 A
Power Dispation
350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG4PSH71KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором

