История:
3511
3514
3515
3512
IRG4PC30UPBF
3520
3510
3519
3529
3500
3534
V660LS80CP
V660LU80CP
V625LS40AP
V660LU10P
IRG6B330UDPBF
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IRG6B330UDPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.69 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
70 A
Power Dispation
160 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRG6B330UDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IRG6B330UDPBF в каталоге Components.by

