История:
MDL-V-1/4-R
IRGB4062DPBF
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IRGB4062DPBF
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
250 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGB4062DPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором

