Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGP4069D-EPBF

IRGP4069D-EPBF

IRGP4069D-EPBF
IRGP4069D-EPBF
Артикул:
Описание: IRGP4069D-EPBF
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 76 A
Power Dispation 268 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 76 A
Power Dispation 268 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGP4069D-EPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором