Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGPS60B120KDP

IRGPS60B120KDP

IRGPS60B120KDP
IRGPS60B120KDP
Артикул:
Описание: IRGPS60B120KDP
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.33 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 105 A
Power Dispation 595 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGPS60B120KDP: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.33 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 105 A
Power Dispation 595 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGPS60B120KDP: Биполярный транзистор с изолированным затвором