Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IRGS6B60KDPBF

IRGS6B60KDPBF

IRGS6B60KDPBF
IRGS6B60KDPBF
Артикул:
Описание: IRGS6B60KDPBF
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 18 A
Power Dispation 90 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS6B60KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 18 A
Power Dispation 90 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IRGS6B60KDPBF: Биполярный транзистор с изолированным затвором