Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: TJA16-2 APTMC60TLM14CAG 2SA1832-GR,LF DDC144TH-7-F ZXTD717MCTA QJ4008DH4RP ZTX851STZ ZTX849STZ 2SA2016-TD-E 112KD20J 2SA2039-E IXA20I1200PB DDC124EU-7-F BCR523E6327HTSA1 220KH20 2SA2071P5T100Q APTMC120AM09CT3AG Q8025NH5RP 201KH20J V430ZC05P 2SA1962OTU AT91SAM9G20B-CFU Q4035NH5RP BCR512E6327HTSA1 V8ZA1P IXBH9N160G BCR146E6327HTSA1 ACTT10-800CTNQ VS-P425 181KE20 105493 ACTT12X-800CQ ZTX851 ZTX857STZ 2SA2012-TD-E ZXT11N15DFTA ZTX796A 220KD20 180KH20 IXBH20N300 2SA2040-E IXBH42N170 IXBH12N300 ZXT11N20DFTA ACTT8-800C0TQ

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

IXA20IF1200HB

IXA20IF1200HB

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

IXA20IF1200HB

Описание: IXA20IF1200HB

Характеристики

Manufacturer IXYS

Collector-Emitter Voltage 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 38 A

Power Dispation 165 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-IXA20IF1200HB: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор IXA20IF1200HB в каталоге Components.by