Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT IXA20PG1200DHGLB-TRR

IXA20PG1200DHGLB-TRR

IXA20PG1200DHGLB-TRR
IXA20PG1200DHGLB-TRR
Артикул:
Описание: IXA20PG1200DHGLB-TRR
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 32 A
Power Dissipation 130 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA20PG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 32 A
Power Dissipation 130 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXA20PG1200DHGLB-TRR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet