История:
MDA-4-1-2
IXA27IF1200HJ
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXA27IF1200HJ
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
43 A
Power Dispation
150 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXA27IF1200HJ: Биполярный транзистор с изолированным затвором

