История:
201KH20J
V430ZC05P
2SA1962OTU
AT91SAM9G20B-CFU
Q4035NH5RP
BCR512E6327HTSA1
V8ZA1P
IXBH9N160G
BCR146E6327HTSA1
ACTT10-800CTNQ
VS-P425
181KE20
105493
ACTT12X-800CQ
ZTX851
ZTX857STZ
2SA2012-TD-E
ZXT11N15DFTA
ZTX796A
220KD20
180KH20
IXBH20N300
2SA2040-E
IXBH42N170
IXBH12N300
ZXT11N20DFTA
ACTT8-800C0TQ
IXA55I1200HJ
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXA55I1200HJ
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
84 A
Power Dispation
290 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXA55I1200HJ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXA55I1200HJ в каталоге Components.by

