IXBH40N160
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXBH40N160
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
350 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBH40N160: Биполярный транзистор с изолированным затвором