IXBP5N160G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXBP5N160G
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBP5N160G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXBP5N160G в каталоге Components.by