История:
MDL-1-2/10-R
3DA100J
BK/MDA-V-5-R
SL23EP04SI-2HT
CL-101
IXBT16N170A
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXBT16N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
150 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором

