История:
2053-07-SM-RPLF
IXBT2N250
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXBT2N250
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
2.5 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.15 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
5 A
Power Dispation
32 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXBT2N250: Биполярный транзистор с изолированным затвором

