IXG70IF1200NA
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current
130 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXG70IF1200NA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet