IXGA30N120B3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGA30N120B3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.96 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Power Dispation
300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGA30N120B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором