История:
2SAR502UBTL
V680LS80AP
IXGH10N170A
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGH10N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXGH10N170A в каталоге Components.by

