История:
2SAR502UBTL
V680LS80AP
IXGH16N170A
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGH16N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
16 A
Power Dispation
190 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH16N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXGH16N170A в каталоге Components.by