История:
112KM14
450470
TS3021ICT
02131.25MXP
BK/GBB-V-25-R
122300
IXGH30N120B3D1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGH30N120B3D1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.96 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Power Dispation
300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH30N120B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором