История:
2SAR293PFRAT100
IXGP48N60C3
IXGP30N60C3
FX053013
IXGH32N120A3
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGH32N120A3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH32N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXGH32N120A3 в каталоге Components.by

