История:
2SAR293PFRAT100
IXGP48N60C3
IXGP30N60C3
FX053013
IXGH48N60A3D1
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGH48N60A3D1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.18 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH48N60A3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXGH48N60A3D1 в каталоге Components.by

