IXGH48N60B3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Power Dissipation
300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH48N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet