История:
AVS12CB
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
IXGH56N60A3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
330 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH56N60A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль IXGH56N60A3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by