IXGH56N60B3D1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.49 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
350 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH56N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet