История:
HLS-03-SL
IXGH60N60C3D1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
380 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH60N60C3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet