IXGH6N170
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGH6N170
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
12 A
Power Dispation
75 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH6N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором