IXGK320N60B3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
500 A
Power Dissipation
1.7 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK320N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet