Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT IXGN50N120C3H1

IXGN50N120C3H1

IXGN50N120C3H1
IXGN50N120C3H1
Артикул:
Описание: IXGN50N120C3H1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 95 A
Power Dissipation 460 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGN50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 95 A
Power Dissipation 460 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGN50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet