IXGN50N120C3H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
95 A
Power Dissipation
460 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGN50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль IXGN50N120C3H1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by