История:
RST 100
ATSAM4CMP32CB-AUR
IRG4PC40FPBF
IXGR24N120C3D1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXGR24N120C3D1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
200 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGR24N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXGR24N120C3D1 в каталоге Components.by