IXGR55N120A3H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
70 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR55N120A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet