IXGT32N120A3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
300 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT32N120A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet