История:
ACST1010-7FP
DD89N18K
PT200MYN16
PT200MYN18
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
IXGT72N60A3
IXGT72N60A3
IXGT72N60A3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
75 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT72N60A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
75 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT72N60A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

