История:
RST 100
ATSAM4CMP32CB-AUR
IRG4PC40FPBF
IXXH80N65B4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXXH80N65B4
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
160 A
Power Dispation
625 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH80N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXXH80N65B4 в каталоге Components.by