История:
IXGH12N120A3
BCR 573 E6433
AGN200S06Z
APTGT150H120G
FD1200R17HP4-K_B2
FGY60T120SQDN
T1635T-6I
BTA10-600BWRG
STGB20V60F
Z0109SN 5AA4
AC0201FR-07681KL
FP10R06W1E3_B11
APTGT100BB60T3G
STGW19NC60HD
FP15R06W1E3_B11
STGW60H60DLFB
4506520-010
VS-GP250SA60S
APTGT75DH120T3G
K1800SRP
6PK-301H
DDB6U134N16RR
2305B-1HDCG
APTGT200DA60T3AG
1PK-110T
APTGL700SK120D3G
APT75GN120JDQ3
IGB20N65S5ATMA1
MLI080505-180-10
FP10R12W1T4PBPSA1
15C02CH-TL-E
VUB120-16NOXT
CNA10E2500FB
IXXN110N65C4H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.98 V
Configuration
Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
210 A
Power Dissipation
750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN110N65C4H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль IXXN110N65C4H1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by
