IXXN110N65C4H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.98 V
Configuration
Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
210 A
Power Dissipation
750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN110N65C4H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet