Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1
IXXX110N65B4H1
Артикул:
Описание: IXXX110N65B4H1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 240 A
Power Dispation 880 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX110N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 240 A
Power Dispation 880 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX110N65B4H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором