История:
L6006D8TP
L401E8
L401E5
Q4015LT
Q4010N4TP
L6004D8TP
Q4004V3TP
L601E3
Q4004L4TP
L6006V5TP
Q4008LTTP
L6006D5TP
Q4008RH4TP
Q4008RH3TP
L6004V5TP
L6004D5TP
Q4004LTTP
L6006L5TP
L6004L5TP
L6004V3TP
L6004L3TP
L6004D3TP
L6008V6TP
L6008L6TP
L6006V6TP
L6004V6TP
L6006L6TP
L6008D6TP
L6004L6TP
L6006D6TP
L6004D6TP
IXYA50N65C3
Q4006LTTP
IXXX200N65B4
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXXX200N65B4
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
370 A
Power Dispation
1150 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXX200N65B4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXXX200N65B4 в каталоге Components.by

